2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

CS コードシェアセッション » 【CS.9】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス/配線/集積化技術のコードシェアセッション

[11a-N205-1~11] CS.9 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス/配線/集積化技術のコードシェアセッション

2021年9月11日(土) 09:00 〜 12:00 N205 (口頭)

太田 裕之(産総研)、舟窪 浩(東工大)

10:00 〜 10:15

[11a-N205-5] FLA処理を行った強誘電性HfxZr1-xO2薄膜のEndurance特性の評価

和泉 賢人1、太田 裕登1、河原崎 光2、谷村 英昭2、加藤 慎一2、奈良 安雄1 (1.兵県大工、2.SCREENセミコン)

キーワード:HfxZr1-xO2、強誘電体薄膜、FLA

FLA処理を行った強誘電性HfxZr1-xO2薄膜についてのEndurance特性について調査した結果を報告する。