[11a-N305-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[11a-N305-10] Suraface morphology of Si-doped GaN sputtered layer on N-polar GaN substrate

〇Shinji Yamada¹, Masanori Shirai², Hiroki Kobayashi², Ryuichiro Kamimura², Tetsu Kachi³, Jun Suda^1,3 (1.Nagoya Univ., 2.ULVAC, 3.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:GaN, sputtering, N-polar

GaN on GaNを用いた縦型GaNパワーデバイスの低抵抗化の実現に向けては、n型GaN基板裏面(N極性面)に対するコンタクト抵抗の低減が求められる。我々はN極性面GaN基板上への高濃度Si添加GaNスパッタ膜の形成による、コンタクト抵抗低減技術の開発を進めている。本発表では、その初期検討として、Si添加GaNスパッタ膜の表面形態やコンタクト特性の簡易測定結果について報告する。