[11a-N305-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11a-N305-10] N極性面GaN基板上Si添加GaNスパッタ膜の表面形態

〇山田 真嗣¹、白井 雅紀²、小林 宏樹²、上村 隆一郎²、加地 徹³、須田 淳^1,3 (1.名大院工、2.アルバック、3.名大未来研)

キーワード：GaN、スパッタ、N極性面

GaN on GaNを用いた縦型GaNパワーデバイスの低抵抗化の実現に向けては、n型GaN基板裏面(N極性面)に対するコンタクト抵抗の低減が求められる。我々はN極性面GaN基板上への高濃度Si添加GaNスパッタ膜の形成による、コンタクト抵抗低減技術の開発を進めている。本発表では、その初期検討として、Si添加GaNスパッタ膜の表面形態やコンタクト特性の簡易測定結果について報告する。