[11a-N305-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[11a-N305-5] Evaluation of acceptor activation rate of Mg/N-ion-implanted GaN annealed at 1400°C under normal pressure

〇Masato Omori¹, Kenta Watanabe², Taisei Miyazaki¹, Maito Shiraishi¹, Ryusei Wada¹, Takashi Okawa² (1.Oita Univ., 2.MIRISE Technologies)

Keywords:GaN, Mg ion-implantation

イオン注入技術はGaNパワーデバイス実現のため必須の要素技術である。本研究ではMg/Nイオンを共注入しAlN保護膜を製膜したGaNを常圧下にて1400℃でアニールし，MgがGaサイトに入りアクセプタとなる割合（アクセプタ活性化率）を評価したので報告する。