[11a-N305-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11a-N305-6] 電子線照射およびMg/Nイオン注入GaN結晶のPL評価

〇白石 舞翔¹、宮崎 泰成¹、和田 竜垂¹、渡邉 健太²、大川 峰司²、大森 雅登¹ (1.大分大、2.ミライズテクノロジーズ)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入、フォトルミネッセンス

次世代パワー半導体である窒化ガリウム（GaN）を用いたパワーデバイスを実現するため，イオン注入法を用いてドーピング領域を選択的に形成する技術が必要不可欠であるが，GaNではイオン注入後の活性化アニールによって様々な種類の欠陥が形成されることが問題である。本研究では，窒素空孔に着目し，GaN結晶へ窒素空孔のみを導入した試料とイオン注入試料について，フォトルミネッセンス（PL）法により評価を行った。