[11a-S301-1~7] Atomic layer processes for future device fabrication; Understanding surface reaction dynamics and its control

[11a-S301-4] Examination of Co-ALD for next-generation high-reliable interconnects

〇Jun Yamaguchi¹, Momoko Deura¹, Takeshi Momose¹, Yukihiro Shimogaki¹ (1.The Univ. Tokyo)

Keywords:ALD, Interconnect, cobalt

近年，Co系材料が半導体集積デバイスの新規配線材料やCu配線におけるライナー/バリア層，メタルキャップ層として注目を集めている。これらの用途には，高品質極薄膜の大面積均一形成や高アスペクト比構造埋め込みなどが必要であり，原子層堆積(ALD)法の利用が検討されている。本研究では，原料としてBis(N-t-butyl-N'-ethylpropanimidamidato)Cobaltを用い，熱ALDによるCo製膜の検討を行ったので報告する。