[11p-N302-1~13] 17.3 層状物質

[11p-N302-8] 電界効果トランジスタの動作解析による多層MoS₂に対するフッ素プラズマ処理効果の理解

〇(M1)木井 浩喜¹、野内 亮^1,2 (1.大阪府立大工、2.JST さきがけ)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、表面処理、ショットキー接合

遷移金属ダイカルコゲナイドの一つであるMoS₂において、天然結晶から剥離した薄片がノーマリーオンのn型特性を示すことが多いことを考慮し、p型ドーピング効果が期待できるフッ素プラズマ処理を行った。このフッ素プラズマ処理効果を理解するため、処理前後のFET特性を詳細に解析した結果について報告する。処理後のn型チャネルにおいて、処理前にはなかった閾値電圧のシフトが観測された。これは電極接合部においてプラズマ構成元素が界面拡散を起こし、Fermi準位ピニングが部分的に外れた結果であると考えられる。