[11p-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11p-N305-1] NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの信頼性評価

〇中沼 貴澄¹、岩片 悠¹、小林 拓真¹、染谷 満²、岡本 光央²、吉越 章隆³、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.産総研、3.原子力機構)

キーワード：炭化ケイ素、MOSキャパシタ、NO-POA

熱酸化SiO₂/SiC界面特性改善のためにNO窒化処理が広く用いられている。我々は、NO窒化時間を変えたa面SiO₂/SiC構造の走査XPS測定およびMOSキャパシタのC-V特性評価を行い、界面窒素量の増加とともに界面準位密度が低下することを報告した。しかし、窒化のMOSデバイス信頼性への影響は明らかでない。今回、窒化時間を変えたa面MOSキャパシタに対する信頼性（絶縁性およびフラットバンド電圧安定性）の評価を行ったため報告する。