[11p-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [11p-N305-2] SiO₂/非基底面4H-SiC界面のNO窒化過程の観察と電気特性評価

〇中沼 貴澄¹、岩片 悠¹、小林 拓真¹、染谷 満²、岡本 光央²、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.産総研)

キーワード：炭化珪素、MOSFET、NO-POA

NO窒化を施したa面、m面、(03-38)面、(0-33-8)面等の非基底面SiC MOSFETは、Si面に比べて高いチャネル移動度を示す。しかし、これらの非基底面のSiO₂/SiC界面構造に関する知見は少ない。我々は、窒化時間を変えたa面SiO₂/SiC構造の走査XPS測定およびMOSキャパシタのC-V特性評価を行い、界面窒素量と界面準位密度の相関について報告した。今回、これらの非基底面に対しても、同様の手法で窒素分布と電気特性との相関を調べたため報告する。