[11p-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11p-N305-7] フル4H-SiC画素デバイスの紫外線照射下動作特性

〇黒木 伸一郎¹、西垣内 健汰¹、目黒 達也¹、武山 昭憲²、大島 武²、田中 保宣³ (1.広島大ナノデバイス、2.量研、3.産総研)

キーワード：シリコンカーバイド、CMOSイメージセンサ、耐放射線デバイス

高放射線下などの極限環境下でも駆動可能なエレクトロニクスの構築を進めている。特に福島第一原発での廃炉作業では耐放射線イメージセンサが求められており、耐放射線性に優れた4H-SiCによるデバイス化を進めている。本研究では4H-SiC UV CMOSイメージセンサ 用画素デバイスを試作し、紫外光照射下での動作特性を調べたので報告する。