[12a-N102-1~9] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[12a-N102-5] [講演奨励賞受賞記念講演] プラズマ曝露により絶縁膜/Si界面近傍に形成される欠陥構造のアドミタンスモデル解析

〇久山 智弘^1,2、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工、2.学振特別研究員DC)

キーワード：プラズマ誘起ダメージ、MIS構造、シリコン基板

半導体/絶縁体界面近傍に存在する欠陥は，電子デバイス動作時にノイズ増大や信頼性劣化を引き起こすことが知られている．これまで我々は，プラズマ曝露により界面近傍の絶縁膜側に形成される欠陥（ボーダートラップ）評価に等価回路モデルを適用して解析してきた．今回，欠陥形成領域が広いプラズマ曝露（Heプラズマ）で想定される界面近傍のSi基板側における欠陥形成機構を，MIS構造へのバイアス印加を最適化することで解析した．