[12a-N102-1~9] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [12a-N102-6] シリコン窒化膜のプラズマ曝露による機械特性変化評価手法の提案

〇郷矢 崇浩¹、久山 智弘^1,2、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工、2.学振特別研究員 DC)

キーワード：プラズマ誘起ダメージ、機械的物性、シリコン窒化膜

プラズマ曝露により絶縁膜中に形成される欠陥は，デバイス特性やその信頼性を劣化させる．代表的絶縁膜であるシリコン窒化膜（SiN膜）の電気的信頼性に関しては，様々な手法が確立されているが，機械的物性に関しては，未だ高精度の解析手法は確立していない．本研究では，低誘電率（low-k）膜のダメージ評価に活用されてきたナノインデンテーション法を発展させ，プラズマ曝露によるSiN膜の機械的物性劣化を解析する手法を提案した．