2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[12a-N102-1~9] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2021年9月12日(日) 09:00 〜 11:30 N102 (口頭)

大村 光広(キオクシア)、高橋 和生(京都工繊大)

11:00 〜 11:15

[12a-N102-8] プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ~モバイル水素の役割と考察~

布村 正太1、坂田 功1、堤 隆嘉2、堀 勝2 (1.産総研、2.名大)

キーワード:モバイル水素、欠陥、イオン

先端半導体における欠陥と水素のマネージメントは、デバイス性能と信頼性の両面から極めて重要である。デバイス内の欠陥は、作製に用いるプラズマプロセスによって形成されることが多いが、水素原子(ラジカル)との関連については十分に解明されていない。水素原子は、バルク材の欠陥を生成する一方で、界面におけるダングリングボンド等の欠陥を終端する。したがって、水素原子の振る舞いを理解し制御することが必要である。今回、太陽電池用途の水素化アモルファスシリコン(a-Si:H) パッシベーション膜付 c-Siウエハにアルゴン(Ar)イオンを照射し、a-Si:H/ c-Si界面の欠陥の発生と修復をモバイル水素の観点から考察を進めたので報告する。