[12a-N206-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[12a-N206-9] [Highlight]High-Performance Hydrogenated In₂O₃ Thin-film Transistors

〇Yusaku Magari¹, Taiki Kataoka², Mamoru Furuta², Wenchang Yeh¹ (1.Shimane Univ., 2.Kochi Univ. of Tech.)

Keywords:Oxide semiconductor, In2O3, Thin-film transistor

非晶質酸化物薄膜トランジスタ(TFT)開発において、In-rich組成にすることで、高移動度化が図られている。In組成の増大に伴い、キャリア移動度は増大する一方、酸素欠損など真性欠陥がドナー準位を形成し、キャリア濃度の制御性に課題がある。我々は、In₂O₃スパッタ成膜時の水素雰囲気を制御し、大気中で熱処理を施すことで、固相結晶化後のキャリア濃度を10¹⁷cm^-3まで大幅に低減させることに成功した。本手法により作製した多結晶In₂O₃:H TFTにおいてµ_FE = 138.3 cm²V^-1s^-1を実現した。