10:45 AM - 11:00 AM
△ [12a-N305-7] Selective introduction of color centers into 4H-SiC via ion implantation and annealing
Keywords:SiC, color centers, ion implantation
半導体中の発光中心は量子演算・センシング等の量子技術への応用で期待されている。炭化珪素(SiC)は広いバンドギャップを有する上、デバイス作製技術が確立しており、発光中心のホストとして魅力的な材料である。本研究では、SiC を用いた量子デバイスのオンチップ集積化を目指し、イオン注入および熱処理で生成するSiC 中の発光中心を調査した。