[12a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [12a-N305-7] イオン注入および熱処理による4H-SiC 中への発光中心の選択的形成

〇小林 拓真^1,2、Rühl Maximilian¹、Lehmeyer Johannes¹、Zimmermann Leonard¹、Krieger Michael¹、Weber Heiko¹ (1.エアランゲン大、2.阪大院工)

キーワード：炭化珪素、カラーセンター、イオン注入

半導体中の発光中心は量子演算・センシング等の量子技術への応用で期待されている。炭化珪素（SiC）は広いバンドギャップを有する上、デバイス作製技術が確立しており、発光中心のホストとして魅力的な材料である。本研究では、SiC を用いた量子デバイスのオンチップ集積化を目指し、イオン注入および熱処理で生成するSiC 中の発光中心を調査した。