[12a-N323-1~8] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[12a-N323-1] シリコン薄膜成長における三塩化ホウ素によるホウ素ドーピング

〇大谷 真奈¹、室井 光子¹、羽深 等¹ (1.横国大院工)

キーワード：BCl3、SiH2Cl2、ホウ素ドーピング

半導体Si 薄膜を化学気相堆積法により形 成する際に、ジボランなどのドーパントガスが用 いられているが、これらより安全なドーピングガスとして三塩化ホウ素(BCl₃)が挙げられる。高温ではエッチング性を示すものの、低温では製膜に用い得ることが報告されたので、本研究ではBCl₃とジクロロシラン（SiH₂Cl₂, DCS）ガスによるB 添加Si 製膜を行い、製膜速度の挙動を 調べた。