[12a-N323-1~8] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[12a-N323-4] 室温プラズマ CVD 法による SiCNO 膜の耐腐食性

堀 健太¹、〇川上 広樹¹、羽深 等¹ (1.横国大院理工)

キーワード：プラズマCVD、SiCNO

SiCxNyOz薄膜は、SiOx, SiC, SiNxに起因して耐薬 品性を発現することから、保護膜として応用できること が期待されている。これまでに、室温 Ar プラズマ中に窒 素(N2)とモノメチルシラン(SiH3CH3, MMS)を用いて非晶 質 SiCxNyOz膜を形成した場合、原料ガスの分圧と電流値 により組成を定量的に予測できること、窒素濃度の増大 により耐腐食性が低下することが報告[1-3]されている。 本研究では、三フッ化塩素(ClF3)ガスに暴露する際に得 られる耐腐食性を観察し、その挙動と組成の関係につい て考察したので、詳細を報告する