[12a-N406-1~10] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

△ [12a-N406-2] Zn Doped InAs Thin Films On GaAs Substrate By MOVPE Methodevaluated by Raman scattering

〇Yasushi Hirata¹, Shota Nakagawa¹, Masakazu Arai¹, Koji Maeda¹ (1.Miyazaki Univ.)

Keywords:Raman Scattering, Metamorphic Growth, InAs

MOVPE法を用いて中赤外波長用超格子の基板としてメタモルフィック成長を用いて作製し、GaAs基板上にInAsにZnをドープしたバッファ層を成長させて、ラマン分光法とAFMを用いて結晶性の評価を行った。Znを厚く成長させると、結晶性、表面の平坦性が良くなった。Znドープにより表面の拡散長が短くなり結晶核の発生数が抑えられ、結晶性が改善されたことが考えられる。