[12a-S203-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [12a-S203-5] 4H-SiC(0001)基板を用いたTi₂O₃薄膜の合成

〇(M2)宮崎 悟¹、吉松 公平¹、長谷川 直人¹、組頭 広志¹ (1.東北大多元研)

キーワード：酸化物チタン、金属ー絶縁体転移

Ti₂O₃は約450Kで緩やかな金属-絶縁体転移(MIT)を示し、その前後で結晶の対称性を保ったままc 軸長とa 軸長の比(c/a比)のみが大きく変化する。それゆえ、格子歪によるc/a 比の制御はTi₂O₃のMITを理解するために重要である。本研究では、広い基板温度で安定して Ti₂O₃薄膜を成長できる基板として六方晶構造を持つ4H-SiCに着目し、基板温度を変化させることによりTi₂O₃のc/a 比を広範囲で制御可能なことを明らかにした。