[12p-N102-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[12p-N102-11] 高In組成InGaNの分子線エピタキシー成長における高密度窒素ラジカル照射の効果

〇近藤 博基¹、桑原 清²、Kumar Dhasiyan Arun¹、堀 勝¹ (1.名大低温プラズマ、2.片桐エンジニアリング)

キーワード：窒素ラジカル、窒化インジウムガリウム、分子線エピタキシー

一般的な誘導結合型プラズマ源（ICP）と比較して10倍以上高密度な窒素ラジカルを生成可能な高密度ラジカル源（HDRS）を用い、基板温度447Cから554Cにおいて、Si基板上のGaNテンプレートに、In組成40〜42％のInGaNを成長した。この時、成長温度が高いほどInGaNのモザイシティが減少した。高密度窒素ラジカル照射によるInNの分解・脱離の抑制と高温成長による結晶性向上が示唆された。