[12p-N102-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[12p-N102-15] プラズマCVD法によるシリコン膜堆積時の瞬間加熱による高結晶性シリコン膜の成長に関する研究

〇(M2)野島 大志¹、花房 宏明¹、佐藤 拓磨¹、東 清一郎¹ (1.広大院先進理工)

キーワード：プラズマCVD、薄膜トランジスタ、多結晶シリコン

近年、フラットパネルディスプレイの高精細化に伴い、高結晶性Si TFTが求められている。絶縁体上に多結晶Si膜を堆積する方法が多数研究されているが、アモルファスインキュベーション層の抑制が困難なため、ボトムゲート構造TFTのチャネルに適さないという問題がある。そこで本研究では、プラズマCVD法によるSi膜堆積時に金属薄膜に電流を流し、パルスジュール加熱を行うことで高結晶性Si膜を成長させるプロセス開発を進めている。