The 82nd JSAP Autumn Meeting 2021

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[12p-N102-1~15] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

Sun. Sep 12, 2021 1:30 PM - 5:30 PM N102 (Oral)

Kosuke Takenaka(Osaka Univ.), Hiroki Kondo(Nagoya Univ.)

3:30 PM - 3:45 PM

[12p-N102-8] Structural Design of Boron Nitride Films Using Ion-Flux Controlling Reactive Plasma-Assisted Coating (RePAC) Technique

〇(D)Takayuki Matsuda1, Takashi Hamano1, Yuya Asamoto1, Masao Noma2, Michiru Yamashita3, Shigehiko Hasegawa4, Keiichiro Urabe1, Koji Eriguchi1 (1.Kyoto Univ., 2.SHINKO SEIKI. Co., LTD., 3.Hyogo Prefectural Inst., of Technol., 4.Osaka Univ.)

Keywords:deposition, thin films, plasma

窒化ホウ素(BN)は様々な構造・形態(立方晶,六方晶,アモルファス)をとりうる物理化学的に安定な材料である.立方晶のc-BNは超高硬度,六方晶のh-BNは高絶縁性を有し,ハードコーティング,2D電子デバイス,極限環境材料として注目されている.今回我々は,磁場印加型アーク放電をベースとするReactive Plasma-Assisted Coating(RePAC)プロセスを構築し,基板への入射イオンフラックス(Γion)を制御することで,様々な構造・形態を有するBN膜形成を実現した.