[12p-N102-1~15] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [12p-N102-9] Control of Ion Flux to the Substrate in Material Processing with a Vacuum-Arc Discharge Considering Discharge Current Limitation Mechanisms

〇Yuya Asamoto¹, Takayuki Matsuda¹, Takashi Hamano¹, Masao Noma², Shigehiko Hasegawa³, Michiru Yamashita⁴, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ., 2.SHINKO SEIKI, 3.Osaka Univ., 4.Hyogo Pref. Inst. Tech.)

Keywords:vacuum-arc discharge, boron nitride, thin film deposition

我々は薄膜特性を高度に制御した窒化ホウ素（BN）薄膜堆積技術の確立を目指し，反応性プラズマ支援成膜法（RePAC）と呼ばれる成膜技術を研究している．BN成膜時のイオンフラックスは，薄膜中のsp², sp³結合状態を支配し，薄膜特性を大きく変化させる重要なパラメータである．本研究では，RePACに搭載された熱電子供給型真空アーク放電における放電電流の決定機構と，その機構がイオンフラックスに与える影響について解析する．