[12p-N102-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [12p-N102-8] イオンフラックス制御型反応性プラズマ支援成膜法による窒化ホウ素膜構造制御に関する研究

〇(D)松田 崇行¹、濱野 誉¹、朝本 雄也¹、野間 正男²、山下 満³、長谷川 繁彦⁴、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京都大学、2.神港精機、3.兵庫県立工業技術センター、4.阪大産研)

キーワード：成膜、薄膜、プラズマ

窒化ホウ素（BN）は様々な構造・形態（立方晶，六方晶，アモルファス）をとりうる物理化学的に安定な材料である．立方晶のc-BNは超高硬度，六方晶のh-BNは高絶縁性を有し，ハードコーティング，2D電子デバイス，極限環境材料として注目されている．今回我々は，磁場印加型アーク放電をベースとするReactive Plasma-Assisted Coating（RePAC）プロセスを構築し，基板への入射イオンフラックス（Γ_ion）を制御することで，様々な構造・形態を有するBN膜形成を実現した．