2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12p-N206-1~19] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2021年9月12日(日) 13:00 〜 18:15 N206 (口頭)

杉山 睦(東理大)、片山 司(北大)、神野 莉衣奈(東大)

17:15 〜 17:30

[12p-N206-16] 195 nmで発光する岩塩構造MgZnO薄膜のミストCVD成長

小川 広太郎1,2、高坂 亘2、工藤 幹太2、芹澤 和泉1、金子 健太郎3、山口 智広2、藤田 静雄3、本田 徹2、尾沼 猛儀2 (1.オーク製作所、2.工学院大、3.京大院工)

キーワード:酸化マグネシウム亜鉛、ミスト化学気相成長、真空紫外

VUV域の新規発光材料として、ワイドバンドギャップを有する岩塩構造(RS)酸化マグネシウムが期待されている。本発表では、VUV域における発光波長制御を目指し、ミストCVD法でMgO(100)基板上にRS-MgxZn1-xO(x>0.9)を成膜した結果について報告する。