[12p-N206-1~19] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [12p-N206-8] Doping effect on epitaxy of β-Ga₂O₃ by excimer laser annealing at room temperature

〇(M2)Kazuki Watanabe¹, Ryoya Kai¹, Tomoaki Oga¹, Satoru Kaneko^2,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech, 2.KISTEC)

Keywords:Ga2O3, impurity doping, excimer laser annealing

酸化ガリウム(Ga₂O₃)は、α～εの5つの多形を持ち、中でも熱力学的に最安定相であるβ型は約4.9 eVの広いバンドギャップをもつため、高速応答の深紫外光センサーや高耐圧なパワーデバイスなどへエピタキシャル薄膜の応用が期待されている。Ga₂O₃は、酸素空孔とドーパント補償などの要因から明確なp型伝導には未だ至っていない。本研究では、β-Ga₂O₃薄膜への低価数ドーピングによる特性制御を目的とし、1価イオンドーパントとしてLi⁺に着目してELA固相エピタキシャル結晶成長と構造・特性への影響について検討した。