[12p-N303-1~11] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

△ [12p-N303-6] Spin dynamics in tunnel-coupled structure of dilute nitride GaAs and InAs quantum dots

〇Shino Sato¹, Yuto Nakamura¹, Soyoung Park¹, Satoshi Hiura¹, Junichi Takayama¹, Akihiro Murayama¹ (1.IST, Hokkaido Univ.)

Keywords:semiconductor quantum dot, dilute nitride GaAs, spin dynamics

Ⅲ-Ⅴ化合物半導体量子ドット(QD)はスピン機能光デバイスの光学活性層として注目されているが，高温ではQDから周辺の3次元バリアへ熱脱離し，バリア中でスピン緩和した電子がQDへと再注入することでスピン偏極度が低下するという課題がある．本研究では，室温でスピンフィルタ―としてはたらく希薄窒化GaAsと InAs QDをトンネル結合させ，QDに注入する電子のスピン偏極度を高めることで室温での発光円偏光度を向上させることに成功した．