[12p-N303-1~11] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

△ [12p-N303-7] Sinter Annealing induced Enhancement of PL Intensity from Si Quantum Dots

〇(M1)Koki Murakawa¹, Takashi Aoki¹, Toshiyuki Samejima², Tomohisa Mizuno¹ (1.Kanagawa Univ., 2.Tokyo Univ. Agri. Tech.)

Keywords:quantum-dot, Si, hot ion implantation

Si酸化膜中のSi量子ドット(Si-QD)におけるH₂アニールのSiO₂界面準位低減化によるPL特性への影響について検討した.Si量子ドットにおいて,H₂アニールによる界面準位の軽減化によるPL強度の増大効果を確認できた.