[12p-N323-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[12p-N323-1] A Study of Al Wiring and Al Gate with A Minimal Sputtering Tool

〇Shuichi Noda¹, Hiroyuki Tanaka¹, Masashi Kase¹, Yuuki Yabuta³, Naoko Yamamoto³, Ryuichiro Kamei³, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.Seinan-kogyo)

Keywords:minimalfab, Al-Si gate, HiPIMS

レガシーと先端技術を融合させ、新規デバイスを短期間で設計、試作、量産まで行えるミニマルファブでは、非常にシンプルなAlゲートCMOS FETは有用である。ミニマルAlゲートMOSは、ゲート、コンタクト、配線をすべて同時に形成する非常にシンプルなプロセスであり、このために材料としてはAl-1%Si合金を用いているが、スパッタ条件によりデバイス特性や信頼性に影響を与えうるSi析出現象等について検討した。