[12p-N323-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[12p-N323-2] Gap Fill characteristics of Minimal Plasma TEOS Film for Inter metal layer

〇Noriko Miura¹, Hiroyuki Tanaka², Shuichi Noda², Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.MINIMAL, 2.AIST)

Keywords:minimalfab, plasma CVD

ミニマルファブを用いた実用的デバイスの開発の一環として、多層配線プロセスの開発も行っている。本研究では、層間絶縁膜であるTEOS膜の配線間の埋め込み性を評価したので、その結果について報告する。