[12p-N323-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[12p-N323-3] Study of multilayer wiring process using NSG in Minimal Fab(Ⅱ)

〇Masashi Kase¹, Khumpuang Sommawan^1,2, Shirou Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL)

Keywords:minimalfab, multilayer wiring

ニマルファブで多層配線プロセスにNSGを用いる検討を行った。前回の報告では、NSG上のAl配線の加工、NSGの加工としてViaの開口、NSGの絶縁性の確認はできたが、最終工程の水素シンタリング後にNSGにクラックが発生した。今回、このクラックを抑制するために、NSG塗布後の熱処理温度の変更、NSG塗布時エッジリンスを適用し、Al3層配線TEGの試作を行いNSGのクラックを抑制することができた。