2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[12p-N323-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2021年9月12日(日) 13:00 〜 16:15 N323 (口頭)

羽深 等(横国大)、後藤 哲也(東北大)

13:45 〜 14:00

[12p-N323-4] ミニマルCuめっき装置のCuめっき面内膜厚分布

居村 史人1、釜崎 佳代2、井関 伸至2、井上 道弘1、クンプアン ソマワン1,3、原 史朗1,3 (1.産総研、2.熊本防錆工業、3.ミニマルファブ)

キーワード:ミニマルファブ、パッケージング、電解めっき

IoTデバイス実現のために、複数チップをハーフインチサイズの基板上に搭載するパッケージングを開発している。これまで、チップ間接続のためにミニマルCuめっき装置を用いてレーザビアへのCuめっき成膜プロセスについて評価してきた。今回、Cuめっき膜厚のハーフインチ面内ばらつきについて評価したので報告する。