[12p-N323-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[12p-N323-5] Fabrication and evaluation of diamond SBD using Minimal fab (IV)

〇Hideyuki Watanabe¹, Kazumasa Nemoto¹, Fumito Imura¹, Noriko Miura², Takashi Yajima¹, Shuichi Noda¹, Hitoshi Umezawa¹, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL)

Keywords:diamond, Schottky barrier diode, Minimal fab

現在使用しているミニマルファブ規格のダイヤモンドウエハは、複数枚の板状の単結晶ダイヤモンドが横方向に接合されたモザイク状結晶からなる。接合部では転位や歪などの格子欠陥が高密度に集中しており、転位や歪などの格子欠陥の影響がミリ単位で広く影響を及ぼす物かどうかについては検討する価値がある。今回我々はウエハ内に存在するダイヤモンド単結晶接合部が電気的特性へ与える影響をSBDにより実際に評価したので報告する。