2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[12p-N323-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2021年9月12日(日) 13:00 〜 16:15 N323 (口頭)

羽深 等(横国大)、後藤 哲也(東北大)

14:30 〜 14:45

[12p-N323-6] スピンコータリンス液跳ね発生メカニズムの研究

田中 宏幸1、扇子 義久2,3、門井 幹夫2,3、太田 陽介2,3、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ、3.リソテックジャパン)

キーワード:コーター、ミニマル、リンス

ウェハサイズが小口径であるが故に問題となるプロセスの一つに、レジストスピンコー
ティングが挙げられるが、これまで主に再現性について着目してきた。しかしながら、ウェ
ハ周辺や裏面に回り込んだ不要なレジスト膜を除去するリンス工程については、十分な検証を行ってこなかった。現在進めているLSI集積回路を作成する場合などにおいては、特にイールド低下と直結するため、ミニマルファブ開発にとって解決すべき必須課題となっている。今回、我々はリンス液吐出実験を行い、液跳ね防止の良い特性が得られたのでその評価結果を報告する。