[12p-N406-1~12] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

△ [12p-N406-6] Growth condition for low-temperature-grown GaAs_1-xBi_xon the basis of the Langmuir adsorption model

〇(M2)Tatsuya Umenishi¹, Yuto Takagaki², Yoriko Tominaga^1,2, Mitsuki Yukimune³, Fumitaro Ishikawa³ (1.AdSE, Hiroshima Univ., 2.AdSM, Hiroshima Univ., 3.Ehime Univ.)

Keywords:GaAs1-xBix, Photoconductive Antenna

本研究では、光通信波長帯光源を用いたテラヘルツ時間領域分光法を実現するため、光伝導アンテナ (PCA) 用の半導体として、Bi系III-V族半導体混晶を提案している。最終的なPCA作製のため、現在はBi含有率xが6 - 8%の低温成長GaAs_1-xBi_xの成長をまず目標としている。本研究では、250 ˚Cで成長した際の成長条件とBi含有率の相関を成長前に割り出すことに成功したため報告する。