[13a-N304-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[13a-N304-4] シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成手法の確立

〇(M1)久米 仁也¹、小野 行徳^1,2、堀 匡寛^1,2 (1.静大院工、2.静大電研)

キーワード：シリコンMOSFET、電子正孔系、再結合