[13a-N304-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[13a-N304-8] 集積シリコン量子素子に向けたネガレスト電子線リソグラフィ技術の構築

〇加藤 公彦¹、柳 永勛¹、村上 重則¹、森田 行則¹、森 貴洋¹ (1.産総研)

キーワード：シリコン、量子ビット、電子線リソグラフィ

シリコン量子ビットの研究開発が加速する中、曲線配線、近接した集合細線、ドット形状などを活用した多種多様な素子構造が日々提案、実証されている。これらの研究開発に柔軟に対応していくための基盤技術として、高度な微細加工技術の構築の必要性が高まっている。本研究では、物理形成型二重量子ドット素子構造を題材としmaN2400ネガレジストを用いた電子線リソグラフィプロセス開発と、プロセスシミュレーション技術の構築を行った。