[13a-S201-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13a-S201-6] ミスト化学気相成長法における塩酸と成長温度が酸化ガリウム成長に与える影響

〇山田 梨詠¹、髙橋 昴¹、関口 敦¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、山口 智広¹ (1.工学院大)

キーワード：酸化ガリウム、ミスト化学気相成長、塩酸

ミストCVD法において, (0001)α-Al₂O₃基板上にGa₂O₃薄膜を1時間成長させた. Ga(C₅H₇O₂)₃の濃度が0.05mol/Lになるように超純水で調製した後, 塩酸を塩酸濃度が0.10mol/Lから0.47mol/Lまで変化させた. 成長温度は500℃, 550℃, 600℃と変化させた. この結果, 塩酸濃度の増加に伴い粒径と膜厚の増加が確認された. また, 成長温度の増加においても粒径と膜厚の増加が確認された. 従って, 塩酸は表面マイグレーションに寄与していることが示唆される.