[13p-N101-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-N101-1] 水素同位体標識を用いたGaN MOVPEにおけるTMGaとNH₃の気相反応の高分解能質量分析

〇叶 正¹、新田 州吾¹、本田 善央^1,2、Markus Pristovsek¹、天野 浩^1,3,4 (1.名大IMaSS、2.名大IAR、3.名大ARC、4.名大VBL)

キーワード：気相反応、炭素

高耐圧の縦型GaNパワーデバイスでは、ドリフト層の低いキャリア濃度の制御のため、MOVPE成長において意図せずに混入される炭素（C）の低減が必要である。残留Cの主要因は原料であるトリメチルガリウム(Ga(CH₃)₃)のメチル基由来であると考えられる。本研究では、キャリアガスとして H₂ の同位体であるD₂（重水素）を用い、Ga(CH₃)₃ と NH₃ の詳細な反応プロセスの解析を行った。結果として、Ga(CH₃)₃がD₂ではなくNH₃と優先的に反応することを示している。