[13p-N101-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13p-N101-14] AlGaN組成傾斜層を有する導電性AlInN/GaN DBRのピット低減

〇柴田 夏奈¹、上島 佑介¹、稲垣 徹郎¹、上田 晋太郎¹、長澤 剛¹、田中 実乃里¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大理工)

キーワード：半導体