[13p-N101-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13p-N101-17] 高温アニールAlN上AlGaNチャネルHEMTのAlGaN膜厚依存性

〇森 隆一¹、上杉 謙次郎^2,3、窪谷 茂幸²、正直 花奈子¹、三宅 秀人^1,3 (1.三重大院工、2.三重大地創戦略企、3.三重大院地域イノベ)

キーワード：AlGaN、高電子移動度トランジスタ、AlGaNチャネルHEMT

スパッタ法と高温アニール処理を組み合わせて作成したAlNテンプレート上に、チャネル膜厚が異なるAlGaNチャネルを有するHEMT構造をMOVPE法により成長した。チャネル膜厚が500 nmのとき5×5 μm²のAFM像のRMS値は0.31 nmであり高い表面平坦性を得た。また、電気的特性はチャネル膜厚が500 nm以下のときチャネル/バッファ界面の影響を大きく受け、500 nm以上では結晶性・表面平坦の影響が支配的になることがわかった。