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△ [13p-N101-3] Si基板上の窒化物半導体層の内部応力に対するボイド形状の影響
キーワード：内部応力計算、GaN、Si基板
Si基板上の窒化物半導体成長では，内部応力に起因した基板の反りや成長層内のクラックが成長中や冷却中に発生することが課題である．これに対し我々は，基板や成長層内にボイドを導入することにより内部応力を緩和させる技術に着目している．今回は，ボイド形状がGaN層の内部応力に与える影響について有限要素法を用いて計算し，適切なボイド形状について検討した．