The 82nd JSAP Autumn Meeting 2021

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.4 Thin films and New materials

[13p-N203-1~10] 6.4 Thin films and New materials

Mon. Sep 13, 2021 1:30 PM - 4:00 PM N203 (Oral)

Tetsuo Tsuchiya(AIST), Hiroaki Nishikawa(Kindai Univ.)

1:45 PM - 2:00 PM

[13p-N203-2] PLD synthesis and characterization of aliovalent-doped layered La-Ni-O system epitaxial films

〇(M2)Shohei Hisatomi1, Yuki Goto1, Tomoaki Oga1, Satoru Kaneko2,1, Mamoru Yoshimoto1, Akifumi Matsuda1 (1.Tokyo Tech, 2.KISTEC)

Keywords:epitaxial films, lanthanum nickelates, Ruddlesden-Popper

層状ニッケル酸ランタンLan+1NinO3n+1(n=1,2,3,…,∞)は混合イオン電子伝導性特性により、固体酸化物燃料電池など様々な応用が期待されている。そのなかでも多層型結晶(n≧3)においてはエピタキシャル薄膜やドーピングに関する報告例は少なく、薄膜合成や導電特性に関する知見が求められている。本研究では、異原子価ドープされた層状ニッケル酸ランタンのエピタキシャル薄膜合成と、4価イオンによるLa3+置換、およびNi価数制御が薄膜の構造および導電性におよぼす影響について検討した。