[13p-S301-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

[13p-S301-3] プラズマ化学気相成長法により作製したSiおよびN添加DLC膜特性への水素およびAr希釈の効果

〇佐々木 祐弥¹、長内 公哉¹、大谷 優介¹、室野 優太¹、佐藤 聖能¹、小林 康之¹、遠田 義晴¹、鈴木 裕史¹、中澤 日出樹¹ (1.弘前大理工)

キーワード：ダイヤモンドライクカーボン、プラズマ化学気相成長

希釈ガスとしてH₂とArを用いたプラズマCVD法によりSiおよびN添加DLC(Si-N-DLC)膜を作製し、水素流量比[H₂/(H₂+Ar)]がSi-N-DLC膜特性に与える影響を調べた。Si-N-DLC膜の密着性は水素流量比の増加に伴い改善された。一方、水素流量比の増加に伴い光学バンドギャップは増加し、摩擦係数と比摩耗量は減少した。また、水素流量比が高いときのSi-N-DLCは疎水性を示した。