[13p-S301-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

△ [13p-S301-6] 基板パルスバイアス電圧印加プラズマジェットCVD法を用いたDLC膜の高速成膜

〇大浦 曜¹、坂東 隆宏¹、滝川 浩史¹、針谷 達¹、権田 英修²、國次 真輔³ (1.豊橋技科大、2.オーエスジー、3.岡山工技)

キーワード：DLC、プラズマジェットCVD法、高速成膜

硬質な非晶質炭素膜であるダイヤモンドライクカーボン（DLC）膜は，優れた機械的特性から切削工具などの機能性保護膜として用いられる。本研究では，プラズマジェットを用いた成膜プロセスにおいて，基板ステージへDCパルス電圧を印加した際のDLC膜への影響を調べた。基板パルスバイアス電圧を高くするほど，成膜速度は増加し，基板パルスバイアス電圧-500 Vにおいて，最大成膜速度2200 nm/minを得た。