[22a-P04-1~18] 6.4 Thin films and New materials

[22a-P04-1] PLD synthesis of NiO-based films on SrTiO₃ and effect of atmospheric O₂ annealing

〇(M1)Yuki Goto¹, Shohei Hisatomi¹, Tomoaki Oga¹, Kenta Kaneko¹, Satoru Kaneko^2,1, Mamoru Yoshimoto¹, Akifumi Matsuda¹ (1.TokyoTech, 2.KISTEC)

Keywords:Nickel Oxide, Pulsed Laser Deposition, O2 Annealing

酸化ニッケル(NiO)は、岩塩型構造をとり反強磁性を示す、p型ワイドギャップ半導体として知られている。NiO系薄膜は、ホール輸送層や交換バイアス層への応用、およびNiO系層状ペロブスカイト構造を基本とした複酸化物薄膜による超伝導についての研究報告もある。本研究では、岩塩型・層状などNiO系薄膜の構造と物性の制御を目的として、ペロブスカイト基板上におけるNiO薄膜のPLD合成とアニーリングによる構造・価数変化について検討した。