[22p-P01-1~12] 8 Plasma Electronics(Poster)

[22p-P01-1] Fe₂O₃ fabrication by using room-temperature atomic layer deposition

〇Issei Nagata¹, Kazuki Yoshida^1,2, Kentaro Saito^1,2, Masanori Miura³, Kensaku Kanomata³, Fumihiko Hirose¹ (1.Yamagata Univ., 2.JSPS Research Fellow, 3.ROEL Yamagata)

Keywords:iron oxide, film formation at room temperature, atomic layer deposition

酸化鉄(Ⅲ)(Fe₂O₃)は磁気特性をもつため、磁気デバイスへ応用されてきた。我々は酸化ガスをプラズマ励起加湿アルゴン、原料ガスをbis(N-N’ diisopropyl propion amidinate)iron ((DIPPA)₂Fe)として原子層堆積法(Atomic layer deposition: ALD)によるFe₂O₃の室温堆積に取り組んだ。これまでに報告されている(DIPPA)₂FeのALDでは130 ℃が最低温であったが、本研究では室温(22 ℃)での成膜を達成した。Fe₂O₃薄膜の膜組成分析にはX線光電子分光法(XPS)を用い、堆積した膜がFe(Ⅲ)状態の酸化鉄であることを確認した。