[22p-P01-1~12] 8 Plasma Electronics(Poster)

[22p-P01-2] Surface Reactions of Fe₂O₃ RT-ALD Explained by QCM Measurements

〇(PC)Kazuki Yoshida^1,2, Issei Nagata¹, Kentaro Saito^1,2, Masanori Miura³, Kensaku Kanomata³, Fumihiko Hirose¹ (1.Yamagata Univ., 2.JSPS Research Fellow, 3.ROEL Yamagata Univ.)

Keywords:ALD, surface reaction, room temperature deposition

Fe₂O₃ はMRIの造影剤にも用いられる一般的な磁性材料であるが、ALDでは130 ˚Cでの報告が最低温であった。共同研究者の永田らは酸化ガスをプラズマ励起加湿アルゴン、原料ガスを((DIPPA)₂Fe)として室温(22 ˚C)でのFe₂O₃ ALDプロセスを開発した。本研究ではQCMを用いてALDにおける質量変化を観察し、成膜モードの確認を行った。さらに質量変化を計算予測することで、表面反応を解析した結果を示す。