[22p-P01-1~12] 8 Plasma Electronics(Poster)

[22p-P01-3] Modeling of low-temperature aluminum nitride atomic layer deposition

〇(D)Kentaro Saito^1,2, Kazuki Yoshida^1,2, Masanori Miura³, Kensaku Kanomata³, Bashir Ahmmad¹, Shigeru Kubota¹, Fumihiko Hirose¹ (1.Yamagata Univ., 2.JSPS Research Fellow, 3.ROEL Yamagata Univ.)

Keywords:atomic layer deposition, aluminum nitride

窒化アルミニウム(AlN)は、有機発光ダイオードのガスバリアへの応用が期待されている。従来の製膜法は化学気相堆積法、原子層堆積法(Atomic Layer Deposition)等であり、300 ℃以上の高温を必要としていた。有機エレクトロニクスデバイスに応用するために、プロセスの低温化が求められる。我々はtrimethylalminium (TMA)を原料ガスに、プラズマ励起アンモニアを窒化ガスに用いた160 ℃でのALDを実現するために、多重内部反射赤外吸収分光法での表面反応のその場観察を行った。加え、この結果から本ALD反応の反応機構を提案する。